稍早前，臺積電CEO魏哲家公開表示，臺積電將在今年內風險投產3nm N3工藝，并在2022年下半年投入大規模量產，2023年一季度將會獲得實際收入。而臺積電的2nm N2工藝則在2025年量產，并強調無論集成密度還是性能都是業內最好的，此前臺積電表示該工藝考慮使用GAAFET(環繞柵極場效應晶體管)。

據稱，臺積電的3nm N3工藝是5nm N5工藝之后的全新節點。臺積電表示3nm N3的經過密度可增加70％，同等功耗下性能可提升10-15％，同等性能下功耗可降低25-30％，但是整體更加復雜，整個工藝流程的工序超過1000道。

而臺積電的一大競爭對手，三星在此前已經宣布，2022年初量產3nm 3GAE低功耗版，次年初量產3nm 3GAP高性能版，而2nm 2GAP工藝則將在2025年量產。