稍早前,臺積電CEO魏哲家公開表示,臺積電將在今年內風險投產3nm N3工藝,并在2022年下半年投入大規模量產,2023年一季度將會獲得實際收入。而臺積電的2nm N2工藝則在2025年量產,并強調無論集成密度還是性能都是業內最好的,此前臺積電表示該工藝考慮使用GAAFET(環繞柵極場效應晶體管)。
據稱,臺積電的3nm N3工藝是5nm N5工藝之后的全新節點。臺積電表示3nm N3的經過密度可增加70%,同等功耗下性能可提升10-15%,同等性能下功耗可降低25-30%,但是整體更加復雜,整個工藝流程的工序超過1000道。
而臺積電的一大競爭對手,三星在此前已經宣布,2022年初量產3nm 3GAE低功耗版,次年初量產3nm 3GAP高性能版,而2nm 2GAP工藝則將在2025年量產。
關于我們 廣告服務 手機版 投訴文章:39 60 2 914 2@qq.com
Copyright (C) 1999-2020 m.ymshequn.com 愛好者日報網 版權所有 聯系網站:39 60 2 914 2@qq.com