Intel一直在積極推進四年五代工藝節點的戰略,2021-2024年間將陸續投產7、4、3、20A、18A。其中,20A、18A將邁入埃米時代,大致可以理解為相當于2nm、1.8nm,表現優異。Intel 20A工藝將引入兩種全新的工藝,PowerVia背部供電和RibbonFET全環繞柵極晶體管。
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通過PowerVia技術,傳統位于芯片正面的供電層改到背面,可以降低供電噪聲、電阻損耗,優化供電分布,提高整體能效。在即將舉辦的VLSI Symposium 2023研討會上,Intel將展示基于4工藝的測試芯片,使用PowerVia技術,該芯片采用E核架構,面積僅為2.9平方毫米,得益于PowerVia技術,利用率超過90%的區域占據大部分。此外,PowerVia技術還帶來超過5%的頻率提升,吞吐時間略高但可接受,功耗發熱情況符合預期。除了自家產品,Intel還計劃使用PowerVia技術為客戶代工,提前展示其能力。
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