Intel一直在積極推進四年五代工藝節點的戰略，2021-2024年間將陸續投產7、4、3、20A、18A。其中，20A、18A將邁入埃米時代，大致可以理解為相當于2nm、1.8nm，表現優異。Intel 20A工藝將引入兩種全新的工藝，PowerVia背部供電和RibbonFET全環繞柵極晶體管。

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通過PowerVia技術，傳統位于芯片正面的供電層改到背面，可以降低供電噪聲、電阻損耗，優化供電分布，提高整體能效。在即將舉辦的VLSI Symposium 2023研討會上，Intel將展示基于4工藝的測試芯片，使用PowerVia技術，該芯片采用E核架構，面積僅為2.9平方毫米，得益于PowerVia技術，利用率超過90％的區域占據大部分。此外，PowerVia技術還帶來超過5％的頻率提升，吞吐時間略高但可接受，功耗發熱情況符合預期。除了自家產品，Intel還計劃使用PowerVia技術為客戶代工，提前展示其能力。

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