NEO 半導體宣布將推出全球首款 3D DRAM 原型，解決 DRAM 容量瓶頸。

3D DRAM 用到的是 3D X-DRAM 技術，原理與 3D NAND Flash 類似，通過堆疊層數提高容量。

NEO 承諾 2025 年將推出第一代 3D X-DRAM 產品，首代產品就有 230 層堆疊，核心容量 128GB。

(資料圖片僅供參考)

更夸張的是，到 2035 年，NEO 將推出 1TB 容量的 3D X-DRAM，較現在 DRAM 容量提升達 64 倍。

NEO 表示，未來內存大小不僅可以從 TB 為單位起步，甚至能追上 3D NAND Flash 的發展。

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