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三星表示，它已經通過啟動12納米工藝的16Gb DDR5 DRAM的大規模生產重申了其在DRAM領域的領導地位。這家韓國電子巨頭聲稱，與上一代產品相比，這種新工藝生產的內存IC可降低約四分之一的功耗，并將提高五分之一的晶圓生產力。此外，這些領先的內存芯片將擁有7.2Gbps的最大引腳速度。

三星 SAMSUNG 臺式機內存條 16G DDR5 4800頻率

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三星電子DRAM產品與技術執行副總裁Jooyoung Lee在討論這一制造里程碑時說："利用差異化的工藝技術，三星行業領先的12納米級DDR5 DRAM具有出色的性能和電源效率"。然而，PC用戶將不得不等待涓涓細流，因為這些12納米DDR5集成電路的首次使用將是在數據中心、人工智能和下一代計算等應用領域。

三星表示，12納米級DRAM的開發是通過 "使用一種新的高K材料 "實現的。在進一步的細節中，它解釋說，這些集成電路中使用的晶體管柵極材料具有更高的電容，使其狀態更容易被準確區分。此外，三星在降低工作電壓和減少噪音方面的努力也有助于提供這種優化的解決方案。

這些仍然是16Gb的IC，所以三星并沒有通過這些DRAM芯片在其密度路線圖上走得更遠。相反，所預示的好處涉及電源效率、速度和晶圓經濟。如果你想要一些數字，三星指出，12納米DDR5集成電路與前一代相比，功耗降低了23%，晶圓生產力提高了20%。

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